[发明专利]反应腔室有效
| 申请号： | 200710121288.8 | 申请日： | 2007-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101383266A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 赵梦欣 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/67;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反应腔室，包括内衬，内衬的侧壁设有接触法兰，接触法兰与反应腔室的内壁紧密接触。反应腔室的内壁设有台阶，接触法兰固定在台阶上。内衬的侧壁的下部连接有屏蔽板，侧壁与屏蔽板可以为整体式结构，也可以为分体式结构。通过内衬下部的接触法兰在真空条件下与反应腔室壁连接，继而增大内衬在真空条件下的导热率，使内衬具有热稳定性，减少了内衬中在射频电源循环开及关时产生的温度波动，有利于刻蚀的稳定进行。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 | ||
【主权项】：
1、一种反应腔室，包括内衬，其特征在于，所述的内衬包括侧壁，所述侧壁设有接触法兰，所述接触法兰与反应腔室的内壁紧密接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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