[发明专利]灰阶掩膜版结构有效
| 申请号： | 200710121531.6 | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101382728A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 董敏;刘圣烈 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种灰阶掩膜版结构，包括掩膜版，所述掩膜版上设置有可掩膜出源极的源极区域和可掩膜出漏极的漏极区域，以及在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域，在所述沟道区域内均匀设置有数个挡光条，所述挡光条与所述沟道区域的中心线垂直。采用本发明所提供的灰阶掩膜版结构进行曝光工艺，由于存在多个狭缝使光发生多重干涉，使挡光条下的光刻胶得到均匀度较高的光强，减小光刻胶表面突起的数量与突起的尺寸，从而获得一定高度的且均匀度较高的光刻胶表面，灰化后进而进行二次刻蚀，改善了掩膜工艺的均匀性问题，降低了由于均匀性不良而出现源/漏层短路等问题的几率，获得性能优良的薄膜晶体管源/漏层沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 灰阶掩膜版 结构 | ||
【主权项】：
1、一种灰阶掩膜版结构，包括掩膜版，所述掩膜版上设置有可掩膜出源极的源极区域和可掩膜出漏极的漏极区域，以及在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域，其特征在于:在所述沟道区域内均匀设置有数个挡光条，所述挡光条与所述沟道区域的中心线垂直。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710121531.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
