[发明专利]TFT LCD电极薄膜制备所用的靶材及靶材和电极薄膜制备方法无效
| 申请号： | 200710121730.7 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101386974A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 薛建设;梁珂;徐宇博 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;B22D21/00;B22D19/00;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种TFT LCD有源矩阵电极薄膜制备所用的靶材，其中靶材为Al-Ta的合金、Al-Ti的合金或者Al-Fe合金；靶材合金元素的含量为1at％-3at％。本发明同时公开了该靶材的制备方法，将混合充分的Al-Ti、Al-Fe或者Al-Ta合金粉末，加热使之完全熔化以后，将喷射工作气体通过雾化喷嘴将熔化的合金雾化成小液滴并在气流的带动下以一定的速度向冷却并旋转的基体快速运动并在基体表面获得具有一定密度的坯体；或将混合充分的Al-Fe、Al-Ti或者Al-Ta合金粉末，加热使之完全熔化以后，经过搅拌均匀化以后将合金液体到入预热到一定温度的型腔中，使之冷凝成型。用资源丰Fe、Ti或Ta替资源稀缺高价格的Nd，降低靶材及电极薄膜的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 电极 薄膜 制备 所用 方法 | ||
【主权项】：
1、一种TFT LCD有源矩阵电极薄膜制备所用的靶材，其特征在于：所述靶材为Al-Ta的合金、Al-Ti的合金或者Al-Fe合金。
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