[发明专利]半色调掩模板及其制造方法无效
申请号: | 200710121735.X | 申请日: | 2007-09-13 |
公开(公告)号: | CN101387826A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 刘圣烈;柳在一 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/08;G03F7/00;B23K26/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半色调掩模板及其制造方法,半色调掩模板包括基板,基板设有非透射区域、半透射区域和透射区域,在非透射区域设置掩模材料层;在半透射区域的基板表面设有可调节透射率的压花。制造方法包括在基板上设置非透射区域、半透射区域和透射区域,在基板的非透射区域上形成掩模材料层和在基板的半透射区域上形成可调节透射率的压花。本发明可以解决重复沉积现象,并且还可以进一步提高半色调掩模板的质量。 | ||
搜索关键词: | 色调 模板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半色调掩模板,包括基板,所述基板设有非透射区域、半透射区域和透射区域,在非透射区域设置掩模材料层,其特征在于:在半透射区域的基板表面设有可调节透射率的压花。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710121735.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备