[发明专利]一次写入型信息记录介质及盘设备无效

专利信息
申请号: 200710122716.9 申请日: 2007-07-02
公开(公告)号: CN101097744A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 森田成二;高泽孝次;梅泽和代;森下直树;中村直正 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24;G11B7/007
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈源;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种一次写入型信息记录介质和一种盘设备。在具有沟槽和槽岸的透明树脂基片上形成第一记录薄膜、夹层和第二记录薄膜。通过用短波长激光束照射而形成记录标记。通过用短波长激光束照射而形成的记录标记的光反射率高于用短波长激光束照射之前的光反射率。第一记录薄膜具有由三维凹坑记录的第一只读记录标记。第二记录薄膜具有由三维凹坑记录的第二只读记录标记。第一和第二记录薄膜的凹坑的反射率是4.2%至8.4%,或者第二记录薄膜的凹坑宽度大于第一记录薄膜的凹坑宽度。
搜索关键词: 一次 写入 信息 记录 介质 设备
【主权项】:
1.一种一次写入型信息记录介质,其特征在于包括:透明树脂基片,其具有同心圆形状和螺旋形状之一的沟槽和槽岸;第一记录薄膜,其形成在所述透明树脂基片的沟槽和槽岸上;夹层,其形成在所述第一记录薄膜上并且由具有形状为所述同心圆形状和螺旋形状之一的沟槽和槽岸的透明树脂材料制成;以及第二记录薄膜,其形成在所述夹层的沟槽和槽岸上,其中,通过用短波长激光束照射而形成记录标记,并且通过用短波长激光束照射所形成的记录标记的光反射率高于用短波长激光束照射之前的光反射率,所述沟槽在预定的幅度范围内摆动,所述第一记录薄膜具有由三维凹坑记录的第一只读记录标记,所述第二记录薄膜具有由三维凹坑记录的第二只读记录标记,并且所述第一只读记录标记的反射率和所述第二只读记录标记的反射率是4.2%至8.4%。
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