[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法。制备由半导体材料制成的半导体衬底，并在半导体衬底上形成异质半导体区，以在异质半导体区和半导体衬底之间的界面处形成异质结。异质半导体区由带隙与该半导体材料的带隙不同的半导体材料制成，异质半导体区的一部分包括膜厚薄于异质半导体区的其它部分的膜厚的膜厚控制部分。通过以等于膜厚控制部分的膜厚的厚度氧化异质半导体区，形成与异质结相邻的栅绝缘膜。在栅绝缘膜上形成栅电极。这使得可以制造包括具有较低的导通电阻以及较高的绝缘特性和可靠性的栅绝缘膜的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：制备由半导体材料制成的半导体衬底；为了在异质半导体区和所述半导体衬底之间的界面处形成异质结，在所述半导体衬底上形成所述异质半导体区，所述异质半导体区由带隙与所述半导体材料的带隙不同的以下被称为异质半导体材料的半导体材料制成；通过至少氧化所述异质半导体区的一部分，形成与所述异质结相邻的栅绝缘膜的一部分或全部；以及在所述栅绝缘膜上形成栅电极。