[发明专利]低容层积型晶片变阻器及其所使用的过电压保护材料有效
| 申请号： | 200710123037.3 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101071666A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 连清宏;郭政宗;林居南;朱颉安;章丽云;黄兴光;连伟成 | 申请（专利权）人： | 赑丰生技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/105 | 分类号： | H01C7/105;H01C7/12 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;张金海 |
| 地址： | 中国台湾桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种低容层积型晶片变阻器，在1MHz下电容值小于0.5pF，具有耐数千次以上的8kV静电冲击的特性，包含一陶瓷主体，且该陶瓷主体的两端设有外电极及其内部设有内电极，陶瓷主体包含无机玻璃3～50wt％及粒径大于0.1微米的半导体或导体颗粒50～97wt％；且所述的半导体或导体颗粒的表面包覆一层无机玻璃薄膜，其中，所述的无机玻璃薄膜中，含有粒径小于1微米的亚微米或纳米级半导体微粒或导体微粒，而且半导体或导体微粒的含量为无机玻璃含量的20wt％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 层积 晶片 变阻器 及其 使用 过电压 保护 材料 | ||
【主权项】：
1、一种具有微孔结构的过电压保护材料，应用于正负电极间以抑制瞬时突波电压及静电冲击，包含无机玻璃组成3～50wt％及粒径大于0.1微米的半导体或导体颗粒50～97wt％；且所述的半导体或导体颗粒的表面包覆一层无机玻璃薄膜。
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