[发明专利]用于形成浅沟渠隔离区的方法无效
| 申请号： | 200710123112.6 | 申请日： | 2007-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101097884A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 吴家伟;廖振伟;谢荣裕;杨令武;苏金达;黄启东 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于形成浅沟渠隔离区的方法。此方法包括在所提供的基底上方依次形成衬垫氧化物层和氮化硅层的步骤。接下来，部分蚀刻衬垫氧化物层、氮化硅层以及基底以形成沟渠。接着，在沟渠中形成氧化物衬层和氮化物衬层。随后，执行两阶段高密度电浆化学气相沉积处理以形成浅沟渠隔离区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 沟渠 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于形成浅沟渠隔离区的方法，包括：提供一基底；在该基底上方形成一衬垫氧化物层；在该衬垫氧化物层上方形成一氮化硅层；图案化该氮化硅层、该衬垫氧化物层和该基底以形成一沟渠；在该沟渠上方形成一氧化物衬层；在该氧化物衬层上方形成一氮化物衬层；以及执行一原位两阶段高密度电浆化学气相沉积处理，其中该原位两阶段高密度电浆化学气相沉积处理包括：在一第一阶段化学气相沉积处理中，在该氮化物衬层上方沉积一第一电介质；以及在一第二阶段化学气相沉积处理中，移除该氮化物衬层的上部分，且同时沉积一第二电介质以填充该沟渠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
