[发明专利]场发射电子源及其制备方法有效
| 申请号： | 200710124240.2 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101425435A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;陈卓;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管长线。该碳纳米管长线具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管长线的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管长线的第二端从导电基体向外延伸。本发明还涉及一种场发射电子源的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管长线；熔断该碳纳米管长线；将熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种场发射电子源包括一导电基体，其特征在于，该场发射电子源进一步包括一碳纳米管长线，该碳纳米管长线具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管长线的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管长线的第二端从导电基体向外延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710124240.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有弹簧件的防漏闭合设备
- 下一篇：运行安装软件的方法和系统
