[发明专利]场发射电子源及其制备方法有效
| 申请号： | 200710124827.3 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101452797A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 潜力;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方；其中，该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一绝缘基底；在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上；在绝缘基底上制备一隔离体预制体，并对该隔离体预制体进行曝光；在上述隔离体预制体上制作一金属栅网；以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分，形成一隔离体与阴极电极间隔设置，从而得到一场发射电子源。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网延伸到阴极发射电极上方；其特征在于，该隔离体与阴极电极间隔设置。
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