[发明专利]刻蚀牺牲层形成间隙的方法有效
| 申请号： | 200710125261.6 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101462691A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 易里成荣;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底上沉积一第一材料层，在第一材料层上沉积一牺牲层；在牺牲层上形成图形化的第二材料层；干法刻蚀部分牺牲层；湿法刻蚀部分剩余牺牲层，在第一材料层和第二材料层之间形成间隙，使牺牲层在第二材料层上靠近第一材料层的一侧形成凸点。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 牺牲 形成 间隙 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其包括以下步骤：提供一硅基底，在该基底上沉积一第一材料层；在第一材料层上沉积一牺牲层；在牺牲层上形成图形化的第二材料层；干法刻蚀部分牺牲层；以及湿法刻蚀剩余牺牲层，在第一材料层和第二材料层之间形成间隙，使牺牲层在第二材料层上靠近第一材料层的一侧形成凸点。
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