[发明专利]电磁屏蔽层及其制备方法有效
| 申请号： | 200710125405.8 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101466252A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 戴丰源;何纪壮;潘继红;郑勇;姜开利;刘亮 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;C09D5/25;C23C14/06;C23C16/26;B32B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电磁屏蔽层，包括一导电层和一碳纳米管薄膜结构，所述导电层设置于所述碳纳米管薄膜结构的表面，并与该碳纳米管薄膜结构表面电接触。本发明还涉及一种电磁屏蔽层的制备方法，包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一表面；制备一碳纳米管薄膜；在所述基体的表面形成一碳纳米管薄膜结构；在所述碳纳米管薄膜结构的表面形成一导电层，从而在所述基体的表面形成一电磁屏蔽层。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 屏蔽 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种电磁屏蔽层，包括一第一导电层，其特征在于，该电磁屏蔽层进一步包括一碳纳米管薄膜结构，该碳纳米管薄膜结构设置于所述第一导电层的表面，并与该第一导电层的表面电接触。
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