[发明专利]半导体器件中的有效载流子注入有效
| 申请号： | 200710126012.9 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101162752A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·H·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 菲尼萨公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L29/12;H01S5/30;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种诸如VCSEL、SEL、LED和HBT的半导体器件，制造该器件以具有接近窄能带隙材料的宽能带隙材料。通过位于宽能带隙材料和窄能带隙材料之间的中间结构而改善电子注入。中间结构为变形区，诸如在宽能带隙材料和窄能带隙材料之间的成分变化中的平台。该中间结构被重掺杂并具有所需低电子亲和力的成分。注入结构可在具有高空穴亲和力的p掺杂中间结构的器件的p侧上使用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 有效 载流子 注入 | ||
【主权项】：
1.一种具有从宽能带隙半导体材料到窄能带隙半导体材料的有效载流子注入的半导体器件，该半导体器件包括：具有所需能带隙的第一半导体材料；邻近所述第一半导体材料的注入结构，所述注入结构包括：由具有比所述第一半导体材料宽的能带隙的第二半导体材料形成的限制区域；位于所述第一半导体材料和第二半导体材料之间并提供在所述第一半导体材料和第二半导体材料之间成分变化的过渡区，所述过渡区包括掺杂的中间结构，该掺杂的中间结构具有在所述成分变化中的变形，其中(i)所述中间结构是n掺杂并且在变形处电子亲和力低于所述限制区域的电子亲和力或者(ii)所述中间结构是p掺杂并且在所述变形处空穴亲和力高于所述限制区域的空穴亲和力。
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