[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710126273.0 | 申请日： | 2007-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101097908A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 秋庭隆史 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。在以往的半导体装置中，存在有DC-DC转换电路的电源能量转换效率被MOSFET特性影响的问题。本发明的半导体装置(1)，在芯片焊盘(5)上固定有三个MOSFET元件(2～4)。MOSFET元件(2～4)的源极电极(9～11)通过导电板(24)而共同连接。MOSFET元件(2～4)的漏极电极(26、28、29)共同连接。MOSFET(2～4)的栅极电极(6～8)个别地连接。通过该结构，MOSFET元件(2～4)可根据目的而个别地驱动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其将多个半导体元件在一体连接的状态下封装在一个封装内而构成，所述半导体元件在一主面上具有主要流过主电流的主电极和接受控制信号的控制电极，其特征在于，具有：导电板，其相对所述多个半导体元件的主电极一体连接；导电部件，其相对所述多个半导体元件的控制电极分别地连接。
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