[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200710126300.4 | 申请日： | 2004-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101093795A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 松浦克好;能代英之;土手晓 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法。所述制造方法包括以下步骤：在半导体基底上形成层间绝缘膜；平面化层间绝缘膜的表面；在层间绝缘膜上形成氧化铝膜；在氧化气氛中加热氧化铝膜；以及在氧化铝膜上形成铁电电容器。通过本发明的制造方法，可以防止过量的铝存在于氧化铝膜的表面上，从而改进了在氧化铝膜上形成的铂膜的结晶化，使得半导体器件具有高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在半导体基底上形成层间绝缘膜；平面化层间绝缘膜的表面；在层间绝缘膜上形成氧化铝膜；在氧化气氛中加热氧化铝膜；以及在氧化铝膜上形成铁电电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
