[发明专利]包括所有背面接触结构的光电器件以及相关处理

摘要

一种半导体结构包括一种导电类型的半导体衬底，其具有前表面和后表面。将第一非晶半导体层涂敷到前表面上；将第二和第三非晶半导体层设置在衬底的部分后表面上。第二和第三层每一个都沿其深度有组分梯度，从在与衬底的界面处的基本本征到其相反表面处的基本导电。在一些情况下，第一半导体层也有组分梯度，同时在其他情况下，其特性是本征的。半导体结构可用作太阳能电池；和包括多个这种电池的模块表示为本发明的另一实施例。也描述了用于制造光电器件的方法。

主权项

1.一种半导体结构，包括：(a)一种导电类型的半导体衬底(10)，其具有前表面(12)和后表面(14)；(b)第一非晶半导体层(16)，其设置在半导体衬底(10)的前表面(12)上；(c)第二非晶半导体层(22)，其设置在半导体衬底(10)的后表面(14)的一部分上，其中第二非晶半导体层(22)沿着其深度有组分梯度，从与衬底(10)的界面处的基本本征到相反侧处的基本导电，所述第二非晶半导体层(22)具有通过结合所选择的掺杂剂原子获得的所选的导电类型；和(d)第三非晶半导体层(32)，其被设置在半导体衬底(10)的后表面(14)的另一部分上并且与第二非晶半导体层(22)间隔开，其中第三非晶半导体层(32)沿其深度有组分梯度，从与衬底(10)的界面处的基本本征到相对侧上的基本导电，所述第三非晶半导体层(32)具有通过结合所选择的掺杂剂原子获得的与第二非晶层(22)的导电类型不同的导电类型。