[发明专利]形成用于快闪装置的均匀穿隧氧化层的方法和所得结构无效
| 申请号： | 200710126359.3 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101197279A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 董忠;陈计良 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司（新加坡子公司） |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/283;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 新加坡新加坡邮区6088*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及形成用于快闪装置的均匀穿隧氧化层的方法和所得结构。薄氧化物膜是生长在硅上，该硅首先经气态或液态氯离子源处理。所得氧化物的厚度具有比在未经处理的硅上所得的更均匀，因此，相较于之前未经处理的结构所需的，其可使所给予的电荷储存在一浮置栅上较长的时间，该浮置栅形成于该氧化物上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 装置 均匀 氧化 方法 所得 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在硅基材上生长氧化物层的方法，其包含：清洁该基板；以氯离子处理该基板；就地移除该氯离子；以及于该基材上生长氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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