[发明专利]导电膜层的制造方法有效
| 申请号： | 200710126440.1 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101320687A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 杨淑贞;邱羡坤;赖钦诠;林宜平 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种导电膜层的制造方法，包括下列步骤：首先，提供一基板并于基板上形成一图案化光刻胶层，其中图案化光刻胶层暴露出部分的基板。接着，于图案化光刻胶层与暴露出的基板上，形成一阻障层。然后，于阻障层上进行一电化学制程，以形成一金属层。之后，移除图案化光刻胶层，以形成一导电膜层。本发明导电膜层的制造方法是采用电化学制程来形成金属层，可以有效节省制造成本与缩短制作流程。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电膜层的制造方法，适用于薄膜晶体管制程，其特征在于，该导电膜层的制造方法包括：提供一基板；于该基板上形成一图案化光刻胶层，该图案化光刻胶层暴露出部分的该基板；于该图案化光刻胶层与暴露出部分的该基板上，形成一阻障层；于该阻障层上进行一电化学制程，以形成一金属层；以及移除该图案化光刻胶层，以使部分的该阻障层与该金属层形成一导电膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
