[发明专利]晶圆质量分析方法及装置无效
申请号: | 200710126593.6 | 申请日: | 2007-06-22 |
公开(公告)号: | CN101290901A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 林光启;张霞峰;李琛 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆质量分析方法,通过判断整盒晶圆的良率是否低于设定值并且在测试项目下的结果是否在设定范围内;判断整盒晶圆在测试项目下的失效晶粒分布情况判断是否属于已知的失效分布类型;判断整盒晶圆在测试项目下的失效晶粒分布是否出现判定的整盒晶圆留置类型;判断单片晶圆在测试项目下的失效晶粒分布是否出现判定的单片晶圆留置类型来判定晶圆的失效分布类型,并根据晶圆的失效分布类型对于晶圆进行质量分析。本发明的晶圆质量分析方法比较客观并且分析时间较短。 | ||
搜索关键词: | 质量 分析 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆质量分析方法,其特征在于,包括,判断整盒晶圆的良率是否低于设定值并且在测试项目下的结果是否在设定范围内; 如果整盒晶圆的良率低于设定值或者在测试项目下的结果不在设定范围内,则将整盒晶圆留置;如果整盒晶圆的良率高于或等于设定值并且在测试项目下的结果在设定范围内,则根据整盒晶圆在测试项目下的失效晶粒分布情况判断是否属于已知的失效分布类型;如果整盒晶圆在测试项目下的失效晶粒分布情况属于已知的失效分布类型,则根据已知的失效分布类型判定整盒晶圆质量合格或者质量待定;如果整盒晶圆在测试项目下的失效晶粒分布情况不属于已知的失效分布类型,则判断整盒晶圆在测试项目下的失效晶粒分布是否出现判定的整盒晶圆留置类型;如果整盒晶圆在测试项目下的失效晶粒分布出现判定的整盒晶圆留置类型,则将整盒晶圆留置;如果整盒晶圆在测试项目下的失效晶粒分布没有出现判定的整盒晶圆留置类型,则依次判断单片晶圆在测试项目下的失效晶粒分布是否出现判定的单片晶圆留置类型;如果单片晶圆在测试项目下的失效晶粒分布出现判定的单片晶圆留置类型,则将整盒晶圆留置;如果单片晶圆在测试项目下的失效晶粒分布没有出现判定的单片晶圆留置类型,则整盒晶圆质量合格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造