[发明专利]半导体结构及半导体芯片有效
| 申请号： | 200710127095.3 | 申请日： | 2007-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101232018A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及半导体芯片，此半导体结构包括：对称式的金属氧化物半导体晶体管，其包括第一非对称式的金属氧化物半导体晶体管，其包括第一栅极电极以及邻接于该第一栅极电极的第一源极与第一漏极；以及第二非对称式的金属氧化物半导体晶体管，其包括第二栅极电极以及邻接于该第二栅极电极的第二源极与第二漏极，其中该第一栅极电极连接于该第二栅极电极，并且其中只有该第一源极以及该第一漏极其中之一连接于对应的该第二源极及该第二漏极其中之一。本发明仅需形成非对称式的金属氧化物半导体场效应晶体管，因此可降低集成电路的制造成本，并提升集成电路的整体性能，且明显降低用于建模的复杂度以及成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：对称式的金属氧化物半导体晶体管，包括：第一非对称式的金属氧化物半导体晶体管，其包括第一栅极电极以及邻接于该第一栅极电极的第一源极与第一漏极；以及第二非对称式的金属氧化物半导体晶体管，其包括第二栅极电极以及邻接于该第二栅极电极的第二源极与第二漏极，其中该第一栅极电极连接于该第二栅极电极，并且其中只有该第一源极以及该第一漏极其中之一连接于对应的该第二源极及该第二漏极其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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