[发明专利]半导体部件以及半导体部件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200710127113.8 申请日: 2007-06-28
公开(公告)号: CN101097919A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: A·梅瑟;W·哈特纳;H·格鲁伯;D·博纳特;T·格罗斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L23/52;H01L21/822;H01L21/76;H01L21/768
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;魏军
地址: 德国新*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及半导体部件以及半导体部件的制造方法。半导体部件包括半导体本体,其中形成:第一导电类型的衬底、布置在所述衬底上的第二导电类型的掩埋半导体层和布置在所述掩埋半导体层上的第三导电类型的功能单元半导体层,在所述功能单元半导体层中提供至少两个相互横向并排布置的半导体功能单元。所述掩埋半导体层是至少一个半导体功能单元的一部分,所述半导体功能单元借助穿过所述功能单元半导体层、所述掩埋半导体层和所述衬底的隔离结构相互电绝缘。所述隔离结构包括至少一个沟槽和与衬底的导电接触,所述与衬底的接触借助所述至少一个沟槽与所述功能单元半导体层和所述掩埋层电绝缘。
搜索关键词: 半导体 部件 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种具有半导体本体的半导体部件,包括:第一导电类型的衬底;布置在所述衬底上的第二导电类型的掩埋半导体层;以及布置在所述掩埋半导体层上的第三导电类型的功能单元半导体层,其中提供至少两个相互横向并排布置的半导体功能单元;其中所述掩埋半导体层是至少一个半导体功能单元的一部分,并且所述半导体功能单元借助穿过所述功能单元半导体层、所述掩埋半导体层和所述衬底的隔离结构相互电绝缘;并且其中所述隔离结构包括至少一个沟槽和与衬底的导电接触,所述与衬底的导电接触借助所述至少一个沟槽与所述功能单元半导体层和所述掩埋层电绝缘。
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