[发明专利]半导体部件以及半导体部件的制造方法有效
申请号: | 200710127113.8 | 申请日: | 2007-06-28 |
公开(公告)号: | CN101097919A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | A·梅瑟;W·哈特纳;H·格鲁伯;D·博纳特;T·格罗斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/52;H01L21/822;H01L21/76;H01L21/768 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;魏军 |
地址: | 德国新*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及半导体部件以及半导体部件的制造方法。半导体部件包括半导体本体,其中形成:第一导电类型的衬底、布置在所述衬底上的第二导电类型的掩埋半导体层和布置在所述掩埋半导体层上的第三导电类型的功能单元半导体层,在所述功能单元半导体层中提供至少两个相互横向并排布置的半导体功能单元。所述掩埋半导体层是至少一个半导体功能单元的一部分,所述半导体功能单元借助穿过所述功能单元半导体层、所述掩埋半导体层和所述衬底的隔离结构相互电绝缘。所述隔离结构包括至少一个沟槽和与衬底的导电接触,所述与衬底的接触借助所述至少一个沟槽与所述功能单元半导体层和所述掩埋层电绝缘。 | ||
搜索关键词: | 半导体 部件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有半导体本体的半导体部件,包括:第一导电类型的衬底;布置在所述衬底上的第二导电类型的掩埋半导体层;以及布置在所述掩埋半导体层上的第三导电类型的功能单元半导体层,其中提供至少两个相互横向并排布置的半导体功能单元;其中所述掩埋半导体层是至少一个半导体功能单元的一部分,并且所述半导体功能单元借助穿过所述功能单元半导体层、所述掩埋半导体层和所述衬底的隔离结构相互电绝缘;并且其中所述隔离结构包括至少一个沟槽和与衬底的导电接触,所述与衬底的导电接触借助所述至少一个沟槽与所述功能单元半导体层和所述掩埋层电绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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