[发明专利]磁阻效应元件,磁头,磁记录/再现装置和磁存储器无效
| 申请号： | 200710127875.8 | 申请日： | 2007-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101101756A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 高下雅弘;高岸雅幸;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;张惠萍 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | CPP型磁阻效应元件包括具有固定磁化层，自由磁化层和非磁性中间层的磁阻效应薄膜；和构造成在偏置磁场平行于磁阻效应薄膜的主要表面并且垂直于固定磁化层的磁化的情况下向自由磁化层施加垂直偏置磁场的垂直偏置机构。然后，当平行于垂直偏置磁场的宽度被定义为MRT，正交于垂直偏置磁场并且平行于信号磁场的宽度被定义为MRH时，磁阻效应元件满足关系式1.2≤MRH/MRT。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁头 记录 再现 装置 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其特征在于，该磁阻效应元件包括：磁阻效应薄膜，该磁阻效应薄膜包括磁化方向固定在一个方向的固定磁化层，磁化方向根据来自磁记录介质的信号磁场变化的自由磁化层，和设置在自由磁化层与固定磁化层之间表现金属传导的的非磁性中间层；垂直偏置机构，该垂直偏置机构构造成在偏置磁场平行于磁阻效应薄膜的平面并且垂直于固定磁化层的磁化的情况下向自由磁化层施加垂直偏置磁场；和一对电极，该对电极电连接磁阻效应薄膜以施加从所述固定磁化层流向所述自由磁化层的电流；其中，在自由磁化层中满足关系式1.2≤MRH/MRT，其中，MRT是平行于所述垂直偏置磁场的宽度，MRH是正交于所述垂直偏置磁场并且平行于来自所述磁记录介质的所述信号磁场的宽度。
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