[发明专利]薄膜晶体管、像素结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤：首先，于基板上形成一源极。接着，形成一第一绝缘图案层，以覆盖部分源极与基板。第一绝缘图案层具有一暴露出部分源极的开口。然后，于第一绝缘图案层上形成一栅极图案层。之后，于栅极图案层上形成一第二绝缘图案层，栅极图案层与第二绝缘图案层围绕开口。接着，于开口内的栅极图案层侧缘上形成一第二侧护壁。然后，于开口内形成一通道层，覆盖第二侧护壁与源极。之后，于通道层与第二绝缘图案层上形成一具有接触窗开口的保护层，以暴露出部分通道层。接着，于暴露出的通道层上形成一漏极。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括：提供一基板；于该基板上形成一源极；形成一第一绝缘图案层，以覆盖部分的源极与基板，其中该第一绝缘图案层具有一覆盖层与一第一侧护壁，该第一侧护壁延伸于所述的源极两侧的基板上，所述的覆盖层覆盖部分的源极，且该覆盖层与所述的第一侧护壁形成一暴露出部分源极的开口；于所述的第一绝缘图案层上依序形成一栅极图案层及一第二绝缘图案层，该栅极图案层与该第二绝缘图案层围绕所述的开口；于该开口内的栅极图案层侧缘上形成一第二侧护壁；于该开口内形成一通道层，覆盖所述的第二侧护壁与源极；于所述的通道层与第二绝缘图案层上形成一保护层，其中该保护层具有一接触窗开口，以暴露出部分的通道层；以及于暴露出的通道层上形成一漏极。