[发明专利]使用多存储器层的多层单元存储器结构及其制造方法

摘要

本发明提供具有多存储器层结构的多层单元(MLC)存储器结构，其每一存储器层结构包含一氧化钨区域，其定义多个逻辑态的不同读取电流量。每一存储器层结构藉由使用氧化钨区域提供多层单元功能可提供二位元信息，其构成四逻辑态，其中四逻辑态等于四个不同读取电流。一具有二存储器层结构的存储器结构可提供四位元储存位址及十六逻辑态。在一实施例中，第一及第二存储器层结构各自包含一氧化钨区域延伸入钨栓元件的主要表面，其中该钨栓的外表面由一阻障元件包围。

主权项

1.一种具有多存储器层的存储器结构，其包含：一第一存储器层结构，其具有一具有主要表面的一第一电极及一氧化钨区域，该氧化钨区域由该第一电极的该主要表面延伸并在该第一电极及一第二电极间电性连接，该第一电极具有实质相似于该氧化钨区域尺寸的一尺寸；及一第二存储器层结构，耦合至该第一存储器层结构，该第二存储器层结构具有一具有主要表面的一第一电极及一氧化钨区域，该氧化钨区域由该第一电极的该主要表面延伸至该第二存储器层结构并在该第二存储器层结构的该第一电极与该第二存储器层结构的一第二电极电性连接，该第二存储器层结构的该第一电极具有实质相似于该第二存储器层结构的该氧化钨区域尺寸的一尺寸。