[发明专利]半导体开关元件和半导体电路装置有效
| 申请号： | 200710128682.4 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101101927A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 矢船宪成;J·K·特怀南 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/47;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体开关元件，其中在形成于衬底上的半导体层上，或半导体衬底上，以预定间隔沿衬底表面的方向设置源电极和漏电极；且第二栅电极被设置在源电极和漏电极之间，第二栅电极与源电极电连接并用具有彼此不同高度的肖特基势垒的两种类型的电极材料层来构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 元件 电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体开关元件，其中在形成于衬底上的半导体层上，或在半导体衬底上，以预定间隔沿所述衬底表面的方向设置源电极和漏电极；且第二栅电极被设置在所述源电极和所述漏电极之间，所述第二栅电极与所述源电极电连接并且用具有彼此不同高度的肖特基势垒的两种类型的电极材料层来构成。
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