[发明专利]垂直式内埋电容基板的制作方法及其结构有效
| 申请号： | 200710128710.2 | 申请日： | 2007-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101090075A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 廖国成 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/498;H01L23/488;H05K3/00;H05K1/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽;田兴中 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种垂直式内埋电容基板的制作方法及其结构，主要包含提供若干个导通层，该些导通层是由一导线层及一第一介电层所组成，该导线层是形成于该第一介电层上；提供若干个复合层，该些复合层是由一图案化电极层及一第二介电层所组成，该图案化电极层是形成于该第二介电层上；压合该些导通层及该些复合层以形成一块体，该块体是定义有若干个垂直式内埋电容基板及在该些垂直式内埋电容基板间的若干个切割道；以及沿着该些切割道切割该块体，以单体化分离该些垂直式内埋电容基板。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 式内埋 电容 制作方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种垂直式内埋电容基板的制造方法，其特征在于：其包含：提供若干个导通层，该些导通层是由一导线层及一第一介电层所组成，该导线层是形成于该第一介电层上；提供若干个复合层，该些复合层是由一图案化电极层及一第二介电层所组成，该图案化电极层是形成于该第二介电层上；压合该些导通层及该些复合层以形成一块体，该块体是定义有若干个垂直式内埋电容基板及在该些垂直式内埋电容基板间的若干个切割道；以及沿着该些切割道切割该块体，以单体化分离该些垂直式内埋电容基板，且该些垂直式内埋电容基板是具有一第一表面及一第二表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710128710.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：涂覆的可压缩基材
- 下一篇：具有可磁性促动锁紧机构的光盘安全装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
