[发明专利]成膜装置及成膜方法有效
| 申请号： | 200710128733.3 | 申请日： | 2007-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101104920A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 太田英伸;寺泽寿浩;清水三郎;佐佐木德康;半泽幸一;松元孝文 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社;爱发科股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种成膜装置及成膜方法，在衬底和靶之间的位置配置膜厚控制用遮蔽部。遮蔽部具有透过部，该透过部中，靶侧的宽度窄，与靶相反侧的宽度宽。由于越远离靶，溅射粒子的密度越小，所以衬底的远离靶的部分长时间暴露于密度低的溅射粒子中，衬底的接近靶的部分短时间暴露于密度高的溅射粒子中，其结果是，在衬底的成膜面上形成膜厚分布均匀的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种成膜装置，其通过溅射，使从靶释放的粒子与衬底倾斜冲撞，在该衬底上形成膜，其中，具有：第一遮蔽部，其遮蔽入射到所述衬底的成膜面上的粒子的一部分；第一透过部，其形成于所述第一遮蔽部上，使所述粒子通过；移动装置，其使所述衬底和所述第一透过部在横截所述第一透过部的长轴的方向上相对移动，所述第一透过部在接近所述靶的一侧宽度窄，在远离所述靶的一侧宽度宽。
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