[发明专利]测试片上端接电路通断状态的半导体存储器件及测试方法无效
| 申请号： | 200710128886.8 | 申请日： | 2007-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101079326A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 李炯镕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于在数据读取模式中测试ODT电路是接通还是关断的半导体存储器件，包括：片上端接(ODT)电路和ODT状态信息输出单元。ODT电路包括至少一个ODT电阻器。在数据从存储单元输出的数据读取模式中，ODT状态信息输出单元响应ODT控制信号来输出指示ODT电路是接通还是关断的ODT状态信息信号。使用在数据读取模式中能够测试ODT电阻器是接通还是关断的半导体存储器件和方法，可以在读取数据过程中测试ODT电路是否接通还是关断。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 端接 电路 状态 半导体 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有多个存储单元的半导体存储器件，包括：片上端接ODT电路，其包括至少一个ODT电阻器；以及ODT状态信息输出单元，其在存储单元数据从存储单元输出的数据读取模式中，响应于ODT控制信号而输出指示所述ODT电路是接通还是关断的ODT状态信息信号。
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