[发明专利]功率用半导体装置有效
| 申请号： | 200710129017.7 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101136431A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 大木博文 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于提供能降低ON电压及损耗的功率用半导体装置。本发明的特征在于，具有L形沟槽式栅极(3)，从p基层(2)的表面起沿相对于n－层(1)的第一主面的垂直方向形成到n－层(1)内的位置，沿相对于n－层(1)的第一主面的平行方向设有向一侧延伸出预定长度的底部(3d)，进而，使预定的相邻的L形沟槽式栅极(3)底部(3d)的延伸方向相对，各底部(3d)的间隔比形成在相对于n－层(1)的第一主面的垂直方向上的部分的间隔窄。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种功率用半导体装置，其特征在于，设有：第一导电型的第一半导体层，具有第一主面和第二主面；第二导电型的第二半导体层，设在所述第一导电型的第一半导体层上；沟槽式栅极，具有沟槽、设在该沟槽内面的栅绝缘膜及埋设在该栅绝缘膜内部的栅极，其底部设置成从所述第二导电型的第二半导体层的表面到所述第一导电型的第一半导体层内，且预定的相邻的所述底部的间隔设置成比所述底部以外的间隔窄；第一导电型的第一半导体区域，邻接所述沟槽式栅极且有选择地设在所述第二导电型的第二半导体层的表面内；第一主电极，设在所述第二导电型的第二半导体层上，且与所述第一导电型的第一半导体区域电连接；第二导电型的第三半导体层，设在所述第二主面上；以及第二主电极，设在所述第二导电型的第三半导体层上。
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