[发明专利]用于制造柱状相变存储元件的方法有效
| 申请号： | 200710129070.7 | 申请日： | 2007-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101106176A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;何家骅 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种柱状相变存储元件，其包括第一与第二电极元件以及位于该两个元件之间的相变元件。第二电极材料与氯敏感相变材料被选定。第一电极元件被形成。相变材料沉积于第一电极元件之上，接着第二电极材料沉积于相变材料之上。第二电极材料与相变材料被蚀刻而不使用氯气，以形成第二电极元件与相变元件。该第二电极材料选择步骤、相变材料选择步骤以及蚀刻工艺选择步骤的实施，使得在蚀刻过程中，相变元件相对于第二电极元件并不会形成侧蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 柱状 相变 存储 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造柱状相变存储元件的方法，所述相变存储元件包括第一与第二电极元件，以及位于所述两个电极元件之间的相变元件，所述方法包括：选择氯敏感相变材料；形成第一电极元件；在所述第一电极元件上沉积所述相变材料；在所述相变材料上沉积第二电极材料；选择不使用氯气的蚀刻工艺；根据所选定的蚀刻工艺而蚀刻所述第二电极材料与所述相变材料，以分别形成第二电极元件与相变元件，进而生成柱状相变存储元件；以及实施所述第二电极材料沉积步骤、所述相变材料选择步骤以及所述蚀刻工艺选择步骤，以使得在所述蚀刻步骤中所述相变元件相对于所述第二电极元件并不会形成侧蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710129070.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有不同相变材料的小功率相变存储单元
- 下一篇：纵向型半导体器件及其制造方法
