[发明专利]低光反馈噪声的自脉冲半导体激光器无效
| 申请号： | 200710129105.7 | 申请日： | 2007-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101106255A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 小林正英 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种自脉冲半导体激光器，包括：形成在半导体衬底(101)上的下包层(103)，形成在下包层上的有源层(105)，形成在有源层上的第一上包层(107)，形成在第一上包层上的第二上包层(109)和阻挡层(BLK)。第二上包层(109)具有台地结构(MS)。阻挡层(BLK)形成在第二上包层(109)的两侧上并包括其带隙大于有源层(105)的带隙的层。当执行自脉冲时，可饱和吸收器区(115)形成在增益区(114)的两侧上。第一上包层(107)的厚度d满足220nm≤d≤450nm的关系。可以在宽的温度范围内实现稳定的自脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 反馈 噪声 脉冲 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种自脉冲半导体激光器，包括：形成在半导体衬底上的下包层；形成在下包层上的有源层；形成在有源层上的第一上包层，其中该第一包层的厚度d满足220nm≤d≤450nm的关系；形成在第一上包层上并具有台地结构的第二上包层；以及阻挡层，其包括形成在台地结构两侧上的各层，其中这些层的带隙大于有源层的带隙。
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