[发明专利]只读存储器数据修补电路和方法、及其嵌入式系统有效

专利信息
申请号: 200710129228.0 申请日: 2007-02-25
公开(公告)号: CN101075213A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 韩东熙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F12/06 分类号: G06F12/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种只读存储器(ROM)数据修补电路,用于基于修补信息利用存储在N个随机存取存储器(RAM)修补块中的修补数据来替换存储在N个修改ROM数据块中的数据。该ROM数据修补电路包括数据修补检测单元、RAM地址生成单元以及地址选择单元。该数据修补检测单元生成N个偏移选择信号和地址选择信号。所述N个偏移选择信号指明ROM读取地址属于哪一块,地址选择信号表示ROM的读取地址是否属于N个修改ROM数据块中的任意一个。RAM地址生成单元基于偏移选择信号,而生成与ROM读取地址对应的RAM读取地址。地址选择单元基于地址选择信号,而输出ROM读取地址和RAM读取地址之一。
搜索关键词: 只读存储器 数据 修补 电路 方法 及其 嵌入式 系统
【主权项】:
1、一种只读存储器(ROM)数据修补电路,用于基于修补信息利用N个随机存取存储器(RAM)修补块中存储的修补数据来替换N个修改ROM数据块中存储的ROM数据,N为自然数,该ROM数据修补电路包括:数据修补检测单元,被配置为生成N个偏移选择信号和地址选择信号,所述N个偏移选择信号指明ROM读取地址属于N个修改ROM数据块中的哪一个,该地址选择信号表示ROM读取地址是否属于N个修改ROM数据块中的任意一个;RAM地址生成单元,被配置为基于偏移选择信号而生成与该ROM读取地址对应的RAM读取地址;以及地址选择单元,被配置为基于地址选择信号输出ROM读取地址和RAM读取地址之一。
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