[发明专利]半穿透半反射式画素无效
| 申请号： | 200710129470.8 | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101349842A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 郭建忠;陈健忠 | 申请（专利权）人： | 胜华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 中国台湾台中县潭*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半穿透半反射式画素适于配置于一基板上，其包括栅极层、第一半穿透半反射导电层、栅绝缘层、通道层以及导电层。其中，栅极层配置于基板上。第一半穿透半反射导电层配置于基板上，并与栅极层电性绝缘。栅绝缘层覆盖于栅极层与第一半穿透半反射导电层上。信道层配置于栅绝缘层上，且通道层位于栅极层的上方。导电层配置于栅绝缘层与信道层的部分区域上，且其包括一源极、一漏极，一与源极连接的数据配线与一与漏极连接的第二半穿透半反射导电层，其中第二半穿透半反射导电层配置于第一半穿透半反射导电层上方的栅绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 穿透 反射 式画素 | ||
【主权项】：
1.一种半穿透半反射式画素，适于配置于一基板上，其特征在于，该半穿透半反射式画素包括：一栅极层，配置于该基板上；一第一半穿透半反射导电层，配置于该基板上，并与该栅极层电性绝缘；一栅绝缘层，配置于该基板上，并且该栅绝缘层覆盖于该栅极层与该第一半穿透半反射导电层上；一信道层，配置于该栅绝缘层上，且该通道层位于该栅极层的上方；以及一导电层，配置于该栅绝缘层以及该信道层的部分区域上，其中该导电层包括一源极、一漏极，一与该源极连接的数据配线以及一与该漏极连接的该第二半穿透半反射导电层，其中该第二半穿透半反射导电层配置于该第一半穿透半反射导电层上方的该栅绝缘层上。
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