[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710129485.4 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101159311A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 金台勋 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种非易失性存储器件及其制造方法。本发明的非易失性存储器件及其制造方法可以确保ReRAM的操作特性一致。ReRAM可以在下方电极的上边缘之上包括决定ReRAM相的层叠电阻层，以得到稳定的临界驱动电压水平。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：第一电极；电阻层，其沿着所述第一电极的边缘而形成；绝缘层，其填充在所述电阻层的内部；以及第二电极，其形成于所述电阻层和所述绝缘层之上，其中，所述电阻层具有由至少两种不同的材料所构成的复合结构。
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