[发明专利]具有背部光传感器和蚀刻分布多频控制的等离子体反应器

摘要

本发明提供了一种具有蚀刻参数的多频控制的等离子体反应器。该反应器包括反应室和该室内的工件支架，该室具有面向该工件支架的顶板以及感应耦合源功率施加器和电容耦合等离子体源功率施加器。一排光纤延伸穿过该工件支架的支撑表面以穿过其底面观察工件。光学传感器连接到光纤的输出端上。该反应器还包括响应光学传感器以调整通过感应耦合等离子体源功率施加器和电容耦合等离子体源功率施加器同时耦合到室中的等离子体的功率的相对量的控制器。

主权项

1.一种用于处理工件的等离子体反应器，包括：反应室和所述室内的工件支架，所述室具有面向所述工件支架的顶板；位于所述顶板上方的感应耦合等离子体源功率施加器和连接到所述感应耦合源功率施加器上的RF功率发生器；包括(a)所述顶板或(b)所述工件支架上的源功率电极的电容耦合等离子体源功率施加器；从其底部延伸穿过所述工件支撑台座并在所述工件支撑的支撑表面上形成一排开口的一排通道；一排光纤，每条光纤分别延伸穿过所述通道中的一个，每条光纤具有：(a)具有穿过所述支撑表面上的开口的视域的观察端，和(b)在所述室外侧的输出端；连接到所述光纤的输出端上的光学传感器；以及响应所述光学传感器以调整通过所述感应耦合等离子体源功率施加器和所述电容耦合等离子体源功率施加器同时耦合到所述室内的等离子体的功率相对量的控制器。