[发明专利]用于形成半导体器件的精细图案的方法无效
| 申请号： | 200710130153.8 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101145514A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 郑载昌 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768;H01L21/3213;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：在包括基层的半导体基板之上形成第一光阻图案；在所述第一光阻图案的侧壁上形成交联层；除去所述第一光阻图案，以形成包括硅聚合物的精细图案；形成与所述精细图案连接的第二光阻图案；利用所述精细图案和所述第二光阻图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述基层。结果，所述精细图案具有比最小间距更小的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 精细 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：在包括基层的半导体基板的单元区域上形成第一光阻图案；在所述第一光阻图案的侧壁上形成交联层；除去所述第一光阻图案，以在所述单元区域上形成包括所述交联层的精细图案；形成与所述精细图案连接的第二光阻图案，所述第二光阻图案形成于所述半导体基板的外围区域上，而非所述单元区域上；以及利用所述精细图案及所述第二光阻图案作为蚀刻掩模来使所述基层图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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