[发明专利]以CVD及HVPE成长氮化镓的方法无效
| 申请号： | 200710130162.7 | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101353818A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 周明奇;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 周明奇;中美硅晶制品股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/18 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 何为 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以CVD及HVPE成长氮化镓的方法，其由串联化学气相沉积法及氢化物气相磊晶法的二段式反应炉，利用其第一段的高温化学气相沉积法成长具较好表面形态的氮化镓奈米结构，再以该氮化镓奈米结构为新成核点，藉由第二段的氢化物气相磊晶法成长厚膜的氮化镓。如是，藉由串联后的反应炉有较弱的压电场，可使量子局限史塔克效应较小，以有效改善以往在高温下以铝酸锂为基板时，其锂原子可能会扩散进入氮化镓间隙的问题。 | ||
| 搜索关键词： | cvd hvpe 成长 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种以CVD及HVPE成长氮化镓的方法，采用一二段式反应炉，其特征在于：该方法至少包括下列步骤：a、取一铝酸锂基板；b、将该铝酸锂基板送入该反应炉中，且将一镓金属加进一可移动的晶舟中，在高温下通入至少一气体，利用该反应炉进行化学气相沉积法，以在该铝酸锂基板上沉积形成一具奈米结构的氮化镓；以及c、利用该反应炉，以该具奈米结构的氮化镓为新成核点，对该铝酸锂基板进行氢化物气相磊晶法，调整一温度及该气体的流速以成长一厚膜的氮化镓。
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