[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200710130434.3 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101123270A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 河野好伸 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;李伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT构造的半导体器件，其设置了集电极短路区，加快了元件的截止动作，且可实现软恢复特性，降低了噪声。本发明的半导体器件为IGBT，具有第一导电型的第一基区、配置在第一基区的一个主面侧的第二导电型的第二基区，形成在第二基区内的第一导电型的发射区，配置在第一基区的另一个主面侧的第二导电型的集电区，以及在第一基区的另一个主面侧，以分割集电区的方式插在集电区之间而形成的第一导电型的集电极短路区；设置有在第一基区的一个主面侧的外周部未形成第二基区的外部电极形成部，第二基区形成在外部电极形成部的内侧的单元形成区域，集电极短路区仅形成在单元形成区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有绝缘栅型双极晶体管构造的半导体器件，其特征在于，具有：第一导电型的第一基区，配置于该第一基区的一个主面侧的第二导电型的第二基区，形成在上述第二基区内的第一导电型的发射区，配置在上述第一基区的另一个主面侧的第二导电型的集电区，以及在上述第一基区的另一个主面侧，以分割上述集电区的方式插在集电区之间而形成的第一导电型的集电极短路区；在上述第一基区的一个主面侧的外周部设置有未形成上述第二基区的外部电极形成部，上述第二基区形成在该外部电极形成部的内侧的晶体管单元形成区域，上述集电极短路区仅形成在上述单元形成区域内。
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