[发明专利]增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法

摘要

本发明涉及一种增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法，(1)栅氧化；(2)多晶硅淀积；(3)多晶硅掺杂形成导电层；(4)形成第一层绝缘介质层；(5)光刻、刻蚀第一层绝缘介质层和多晶硅层形成窗口，窗口宽度在1.2um～4um；(6)离子注入、扩散形成第一杂质层；(7)离子注入、扩散形成第二杂质层；(8)淀积第二层绝缘介质层，(9)刻蚀第二层绝缘介质层；(10)刻蚀第二杂质层形成源极孔或发射极孔；(11)金属层淀积形成电极。本发明在有源区单位面积内能增加原胞数量，增加了有源区电流密度，在器件各项参数不变的情况下可将管芯做的更小。

主权项

1.一种增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法，其特征在于； 按以下步骤进行， (1)、栅氧化：将清洁处理后的硅片进行栅氧化形成栅氧化层，厚度在 200～2000； (2)、多晶硅淀积：在栅氧化层上淀积多晶硅层，厚度控制在2000～ 10000； (3)、离子掺杂：对多晶硅层进行掺杂形成导电层； (4)、形成第一层绝缘介质层：在掺杂后的多晶硅层表面形成第一层绝 缘介质层，第一层绝缘介质层的厚度控制在4000～15000； (5)、光刻：光刻和刻蚀第一层绝缘介质层和多晶硅层，形成窗口，窗 口宽度控制在1.2um～4um； (6)、第一杂质离子注入和扩散：将第一种杂质离子注入窗口内，高温 扩散形成第一杂质层； (7)、第二杂质离子注入和扩散：将第二种杂质离子注入窗口内，高温 扩散形成第二杂质层； (8)、第二层绝缘介质层的淀积和回流：在硅片表面淀积第二层绝缘介质 层，第二层绝缘介质层的厚度控制在4000～15000，然后进行回流处 理； (9)、第二层绝缘介质层刻蚀：各向异性刻蚀第二层绝缘介质层，形成 第二层绝缘介质侧壁层； (10)、源区硅刻蚀：刻蚀第二杂质层形成源极孔或发射极孔，且源极孔或 发射极孔的深度超过第二种杂质层； (11)、金属层淀积：对硅片溅射或蒸发金属层形成电极。