[发明专利]功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法

摘要

本发明涉及一种功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法，(1)对抛光后的硅片清洁处理，氧化形成第一氧化层；(2)在第一氧化层上淀积氮化硅层；(3)在氮化硅层涂胶后进行光刻、刻蚀氮化硅层，形成管芯内场氧化区窗口和对位标记内场氧化区窗口；(4)将硅片放入高温炉内进行氧化，在场氧化区窗口内形成场氧化层；(5)腐蚀掉其余的氮化硅层，对位标记内的第一氧化层和场氧化层形成凸起的类梯形的光刻对位标记，同时形成有源区窗口和终端扩散区窗口。本发明一次光刻工艺就能形成光刻对位标记、有源区窗口和终端扩散区窗口，形成的光刻对位标记既不会变形，也不会影响器件性能，制作工艺简单，能提高生产效率和器件成品率。

主权项

1.一种功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法，其特征在于：按以下步骤进行，(1)、氧化：将抛光后的硅片清洁处理，将硅片放入高温炉内，在高温条件下氧化形成第一氧化层，该氧化层的厚度控制在150～1000；(2)、淀积氮化硅：在第一氧化层上淀积氮化硅层；(3)、光刻：在氮化硅层上涂胶，光刻、刻蚀氮化硅层，形成对位标记内场氧化区窗口和管芯内场氧化区窗口；(4)、场氧化：将硅片放入高温炉内，在高温条件下进行氧化，在对位标记内场氧化区窗口和管芯内场氧化区窗口形成场氧化层，其中，场氧化层的厚度≥5000；(5)、腐蚀氮化硅层：腐蚀掉其余的氮化硅层，对位标记内第一氧化层和场氧化层形成凸起的类梯形作为光刻对位标记，同时形成有源区窗口和终端扩散区窗口。