[发明专利]太阳能多晶硅片的制备方法

摘要

本发明涉及多晶硅片制备技术领域，尤其是一种太阳能多晶硅片的制备方法，解决传统方法的能耗高、利用率低和制成品价格高的缺点，工艺过程为：一)将柔性衬底清洗处理后装入化学气相沉积反应炉；二)将化学气相沉积反应炉内抽真空，真空抽好后再往炉内通氢气；三)将化学气相沉积反应炉加热；四)待温度稳定后，通入三氯氢硅和氢气，发生反应；五)反应生成的硅原子连续沉积在柔性衬底上，生长形成柔性多晶硅薄板；六)生长结束以后，停止三氯氢硅输入，继续通氢气，降温；七)待温度降到室温以后，停止氢气输入，通入氮气；八)待化学气相沉积反应炉内的压力升到标准大气压以后，停止氮气输入，取出生长形成的柔性多晶硅薄膜片。

主权项

1.一种太阳能多晶硅片的制备方法，其特征在于：是在柔性衬底上生长出用于制作太阳能电池的柔性多晶硅片的工艺，具体说具有如下工艺过程：一)将柔性衬底经过清洗处理，除去表面污物和氧化层后，装入化学气相沉积反应炉中；二)化学气相沉积反应炉内抽真空，真空度应达到1×10^-4Pa以上，待真空抽好后再往化学气相沉积反应炉内通氢气；三)将化学气相沉积反应炉加热，加热温度1273—1473K；四)待温度稳定后，通入三氯氢硅和氢气，发生如下反应五)反应生成的硅原子连续沉积在柔性衬底上，生长形成柔性多晶硅薄板；六)生长结束以后，停止三氯氢硅输入，继续通氢气，降温；七)待温度降到室温以后，停止氢气输入，通入氮气1-2小时；八)关闭真空泵，待化学气相沉积反应炉内的压力升到标准大气压以后，停止氮气输入，取出生长形成的柔性多晶硅薄膜片。