[发明专利]一种制造太阳能电池的磷扩散方法有效
| 申请号： | 200710132841.8 | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101132033A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 章灵军;左云翔 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215129江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将待处理的单晶硅片在900～950℃氮气气氛下进行退火处理20～30分钟；(2)将上述处理后的硅片在850～1050℃氯化氢气氛下进行氧化处理，使其表面生成厚度为10至30纳米的氧化层；(3)再在850～900℃下通源磷扩散，使得表面方块电阻控制在40～50欧姆，结深0.2～1.0微米；(4)最后在700～750℃氮气气氛下退火处理30～60分钟，完成单晶硅片的磷扩散处理。本发明可以采用纯度为4、5N的单晶硅作为制造太阳能电池的材料，因而，可以利用冶金硅等纯度较低的材料，极大地降低了材料成本，有利于单晶硅太阳能电池的普及应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 太阳能电池 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将待处理的单晶硅片在900～950℃氮气气氛下进行退火处理20～30分钟；(2)将上述处理后的硅片在850～1050℃氯化氢气氛下进行氧化处理，使其表面生成厚度为10至30纳米的氧化层；(3)再在850～900℃下通源磷扩散，使得表面方块电阻控制在40～50欧姆，结深0.2～1.0微米；(4)最后在700～750℃氮气气氛下退火处理30～60分钟，完成单晶硅片的磷扩散处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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