[发明专利]一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法无效
| 申请号： | 200710132842.2 | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101220507A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陈根茂;彭江 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215129江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法，先对精炼冶金硅进行破碎，除去可见杂质、化学清洗，再投入晶棒(锭)生长炉中，同时掺入镓或磷化镓，以镓的原子浓度计量，添加量在5ppma至14ppma之间，在晶棒(锭)生长完成后进行剖锭加工测量，获得所需的硅晶片。采用本发明的方法，可以用精炼冶金硅制造太阳能电池，降低了材料成本，有利于硅太阳能电池的普及应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳能电池 晶片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法，先对精炼冶金硅进行破碎，除去可见杂质、化学清洗，再投入晶棒或晶锭生长炉中进行晶体生长，在晶棒或晶锭生长完成后进行剖锭加工测量，获得所需的硅晶片，其特征在于：在精炼冶金硅投入晶棒或晶锭生长炉的同时掺入镓或磷化镓，以镓的原子浓度计量，添加量在5ppma至14ppma之间。
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