[发明专利]微机电系统器件加工中不同导电层图形间对准误差电学测试结构

摘要

微机电系统器件加工中不同导电层图形间对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计各导电层间对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位且于二块半导体之间的分离区截断，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当金属与半导体导电层之间存在相对偏移时，测试电阻变化，可得到金属层图形相对于半导体导电材料层图形的对准误差。

主权项

1.微机电系统器件加工中不同导电层图形间对准误差电学测试结构，器件含多层导电材料，包括硅衬底、半导体材料层以及位于最上层用于连接信号的金属材料层，各导电层之间设有绝缘层，采用逐次沉积和逐次套刻方法加工，其特征是：以金属层为基本层，设计各导电层间对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为具有二个直角、一个钝角、一个锐角的梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位及矩形的二长边且于二块半导体之间的分离区截断，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，其中，整根的金属条与矩形半导体及截断在矩形半导体部分的金属条构成一个标准电阻R1，作为分析基准；整根的金属条与梯形半导体及截断在梯形半导体锐角部分的金属条形成另一个电阻R2，用于计算对准误差；当金属与半导体导电层之间存在相对偏移时，测试R2变化，得到金属层图形相对于半导体导电材料层图形的对准误差。