[发明专利]降低场输出电路中芯片温升的方法

摘要

一种降低场输出电路中芯片温升的方法，其特征是：(1)在场偏转线圈与取样电阻之间串接一个芯片管耗功率转移电阻；(2)使芯片管耗功率转移电阻的阻值满足一定的条件；(3)同时使串接的芯片管耗功率转移电阻所消耗的功率满足一定的条件即可。它具有方法简单，易于实现，降温效果明显的优点。

主权项

1.一种降低场输出电路中芯片温升的方法，其特征是：(1)在场偏转线圈与取样电阻之间串接一个芯片管耗功率转移电阻；(2)使芯片管耗功率转移电阻的阻值满足下列条件：$\mathrm{RL}\le \frac{V_P-V_D}{{\mathrm{Ideft}}_{(\mathrm{peak}-\mathrm{peak})}}-R1-1.2*\mathrm{Rcoil}$ 式中：RL为芯片管耗功率转移电阻，VP为芯片电压，VD为芯片输出的管压降，Ideft(peak-peak)为扫描电流峰-峰值，R1为取样电阻值，Rcoil为偏转线圈的直流电阻值；(3)同时使串接的芯片管耗功率转移电阻所消耗的功率满足下列条件：$P_{\mathrm{RL}}>{\left({\mathrm{Irms}}_{\mathrm{deft}}\right)}^2*\mathrm{RL}={(\frac{\sqrt{3}}{3}*\mathrm{Idef}{t}_{(\mathrm{peak}-\mathrm{peak})})}^2*\mathrm{RL}$ 式中：PRL为串接的芯片管耗功率转移电阻所消耗的功率，RL为芯片管耗功率转移电阻阻值，Ideft(peak-peak)为扫描电流峰-峰值，Irmsdeft为扫描电流的有效值。