[发明专利]微波低波段超微型功率合成器

摘要

微波低波段超微型功率合成器，其特征是电路组成包括树形结构的功分器、大于等于2的多路平衡放大器、树形结构的合路器，平衡放大器由一个IC放大器件和两个3dB正交电桥组成，功分器、合路器、平衡放大器中的3dB正交电桥以及平衡放大器中的IC放大器件的外围电路制作在陶瓷基片上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上。将射频功率合成器的电路制作在陶瓷基片上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上，电路一致性好，具有高增益、高集成度、高效率、体积小等优点，适合批量化生产，生产成本大大减小，适于在微波通讯领域中的基站发射机、小整机中应用。

主权项

1、微波低波段超微型功率合成器，其特征是电路组成包括树形结构的功分器、大于等于2的多路平衡放大器、树形结构的合路器，射频输入连接功分器的干输入端，功分器的梢输出端分别连接多路平衡放大器的输入端，多路平衡放大器的输出端连接合路器的梢输入端，合路器的干输出端的输出即为功率合成的射频输出；所述的平衡放大器由一个IC放大器件和两个3dB正交电桥组成，IC放大器件的两个输入端分别连接第一个3dB正交电桥的耦合端、直通端，IC放大器件的两个输出端分别连接第二个3dB正交电桥的耦合端、直通端，第一个3dB正交电桥的输入端为平衡放大器的输入端，第二个3dB正交电桥的输出端为平衡放大器的输出端，两个3dB正交电桥的隔离端分别连接一个电阻后接地；所述的功分器、合路器、平衡放大器中的3dB正交电桥以及平衡放大器中的IC放大器件的外围电路通过超微细薄膜工艺制作在陶瓷基片上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上。