[发明专利]双温场化学气相沉积装置

摘要

本发明涉及到薄膜材料制备技术领域，尤其是一种化学气相沉积装置。提供了一种双温场化学气相沉积装置，反应器是由进气机构、反应加热炉、基体加热炉和基体储存箱共同构成密闭空间，进气机构安装在反应加热炉的外壳上，在反应加热炉的外壁与水冷装置相接触，基体通过反应加热炉与基体加热炉之间的空隙。本发明为解决传统化学气相沉积装置只加热材料生长基体，导致基体温度过高的问题。本发明所提供的双温场化学气相沉积系统与传统的化学气相沉积系统相比，具有功能更多、用途更广的优点。采用本发明可以在耐温较低的基体上生长反应温度较高的材料，更有利于异质结材料生长。

主权项

1.一种双温场化学气相沉积装置，其特征是：反应器是由进气机构、反应加热炉、基体加热炉和基体储存箱共同构成密闭空间，进气机构安装在反应加热炉的外壳上，在反应加热炉的外壁与水冷装置相接触，基体通过反应加热炉与基体加热炉之间的空隙。