[发明专利]晶片上热传感器无效
| 申请号： | 200710135743.X | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101154438A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 郑椿锡;朴起德 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C7/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;朱胜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体装置中的晶片上热传感器(ODTS)，其包括温度信息输出单元，该温度信息输出单元用于测量所述半导体装置的内部温度以产生具有温度信息的温度信息码，且用于与刷新周期同步地更新所述温度信息码。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体装置中的晶片上热传感器(ODTS)，其包括：温度信息输出单元，其用于测量所述半导体装置的内部温度以产生具有温度信息的温度信息码，且用于与刷新周期同步地更新所述温度信息码。
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