[发明专利]利用无电膜沉积形成平坦化Cu互连层的设备有效
| 申请号： | 200710135785.3 | 申请日： | 2004-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101174545A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德·C·雷德克;约翰·博伊德 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/768;H01L21/288;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;李丙林 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用无电膜沉积形成平坦化Cu互连层的设备。在包括窄和宽构造的衬底上形成平坦化导电材料。导电材料通过一系列沉积过程形成。第一沉积过程形成导电材料的第一层，其填充窄构造并且至少部分填充宽构造。第二沉积过程在第一层的空腔内形成导电材料的第二层。柔性材料可以减少衬底上第一层的厚度，同时将溶液递送到空腔中以在其中形成第二层。柔性材料可以是与充满所述溶液的可加压容器相连的多孔膜。柔性材料也可以是使用所述溶液润湿的多孔性材料。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 无电膜 沉积 形成 平坦 cu 互连 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造平坦化表面的设备，包括：晶片支撑体，其用于固定具有一定面积的晶片；工件，包括：含有无电镀覆溶液并具有跨越一侧的包括陶瓷的柔性多孔膜的容器；接合机构，其能够使所述工件和所述晶片相互接触；和用于在所述工件和所述晶片之间引入相对横向运动的装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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