[发明专利]对光学计量系统的选定变量进行优化有效
申请号: | 200710135857.4 | 申请日: | 2007-07-30 |
公开(公告)号: | CN101359611A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 维·翁;鲍君威 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/00;G01B11/06;G01B11/24 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 对光学计量系统的选定变量进行优化的系统包括第一制造集群、计量集群、光学计量模型优化器和实时轮廓评估器。第一制造集群处理具有第一图案结构的晶片。第一图案结构具有下覆膜厚度、临界尺寸和轮廓。计量集群包括连接到第一制造集群的光学计量设备。光学计量模型优化器连接到计量集群。计量模型优化器使用离开第一图案结构的测量衍射信号并浮动轮廓参数、材料折射参数和计量设备参数来优化光学计量模型。实时轮廓评估器连接到光学模型优化器和计量集群。实时轮廓评估器使用优化光学计量模型、测量衍射信号和材料折射参数和计量设备参数中至少一个参数的值域内的固定值。实时轮廓评估器产生包括第一图案结构的下覆膜厚度、临界尺寸和轮廓的输出。 | ||
搜索关键词: | 光学 计量 系统 选定 变量 进行 优化 | ||
【主权项】:
1.一种使用光学计量模型对半导体晶片上形成的带图案结构进行检查的系统,所述系统包括:第一制造集群,设置成对晶片进行处理,所述晶片具有第一带图案结构和第一不带图案结构,所述第一带图案结构具有下覆膜厚度、临界尺寸、和轮廓;计量集群,包括连接到所述第一制造集群的一个或多个光学计量设备,所述计量集群设置成对离开所述第一带图案结构和所述第一不带图案结构的衍射信号进行测量;光学计量模型优化器,连接到所述计量集群,所述计量模型优化器设置成使用离开所述第一带图案结构的一个或多个测量衍射信号并采用浮动的轮廓参数、材料折射参数以及计量设备参数来对所述第一带图案结构的光学计量模型进行优化;以及实时轮廓评估器,连接到所述光学模型优化器和所述计量集群,并被设置成使用来自光学计量模型优化器的经优化光学计量模型、离开所述第一带图案结构的测量衍射信号、和来自所述材料折射参数和所述计量设备参数中至少一个参数的值域内的固定值,其中,所述实时轮廓评估器被设置以创建输出,所述输出包括所述第一带图案结构的下覆膜厚度、临界尺寸和轮廓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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